GaAs MMIC应用展望

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sam4567
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
GaAs MMIC应用展望本刊主编林金庭中图分类号:TN454PerspectiveofGaAsMMICsApplication¥LinJinting1990年以前,砷化镓(GaAs)技术的80%是用于军事,随着冷战结束,高性能的GaAsIC向何处去...
其他文献
用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制
I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(~0.5nm)MIS结构的界面态密度为10~(12)~10~(13)cm~(-2)eV~(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10~(12)~10~(13)和10~
变矩桨与柴油机的选配,是船舶设计时必须考虑的。因主柴油机落座后,一般在船舶正常服役寿命内,不再移动,而变矩桨由于维护保养或因故障需要拆装的情况却经常出现,所以除了功
本文就2000《维汉词典》“出版说明”和“范例”部分瑕疵进行了指正,以期再版时能够纠正。
本文针对和田地区民族中学使用的教科书《汉语》(第三册)内容的部分错误.从四个方面进行了分类和纠正,以便更好地进行汉语教学。
师范高校培养的是教书育人的人才,其根本的责任是“育育人之人”,但大众教育的出现,也带来了一些问题,虽然高校学生工作的对象没有变,可是其结构却发生了很大的变化,这就给复杂的高
本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7~4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1~3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1
玉是中华民族的瑰宝,像一颗明珠,在中国历史文化中放射出灿烂的光辉,科学考古发觉资料证明,早在新石器时代,昆仑山下的先民们就发现了和田玉,并沿着"玉石之路"向外运输.和田
高校物资采购,是一项专业性、技术性强、复杂而严谨的工作,它对于降低采购成本,确保采购到性价比高且满足用户需求的设备或物资,保证服务质量具有十分重要的作用。随着社会主
本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1~18GHz范围内,插入损耗为2.0~2.7d