Simulation of Multilayer Silicon Thin Films Growth on Si(111) Surface

来源 :中国稀土学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lsh01015

【摘要】

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The homoepitaxial growth of multilayer Si thin film on Si(111) surfaces was simulated by Monte Carlo (MC) method with realistic growth model and physical parame

【作者】

：

Wu Fengmin Lu Hangjun

【机构】

：

InstituteofCondensedMatterPhysics

【出处】

：

中国稀土学报：英文版

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

SILICON HOMOEPITAXY KMC SIMULATION ES BARRIER

【基金项目】

：

Project supported by the Natural Science Foundation for Young Scientists of Zhejiang Province (RC02069)

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The homoepitaxial growth of multilayer Si thin film on Si(111) surfaces was simulated by Monte Carlo (MC) method with realistic growth model and physical parameters. Special emphasis was placed on revealing the influence of the Ehrlich-Schwoebel (ES) barr

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