【摘 要】
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为了减小工艺对电流源温度系数的影响,本文提出了一种CTAT电压产生电路,能够产生温度系数对工艺不敏感的CTAT电压;结合温度系数对工艺不敏感的片上电阻,设计了一种具有工艺补
【机 构】
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遵义师范学院物理与电子科学学院,中国科学院微电子研究所
【基金项目】
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国家重点研发计划(2018YFB2002604),贵州省教育厅青年科技人才成长项目(黔教合KY字[2018]317号),遵义市科技局、遵义师范学院联合科技研发资金项目(遵师科合LH字[2018]01号)
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为了减小工艺对电流源温度系数的影响,本文提出了一种CTAT电压产生电路,能够产生温度系数对工艺不敏感的CTAT电压;结合温度系数对工艺不敏感的片上电阻,设计了一种具有工艺补偿的参考电流源.参考电流源电路基于0.18μm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,版图面积为100μm*130μm.后仿真结果表明,tt工艺角下输出参考电流为32.5 nA,整个参考电流源电路消耗电流162 nA;在-40-125°C温度范围内,tt、ff和ss工艺角下的温度系数分别为39 ppm/℃、45 ppm/℃和
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