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采用丝网印刷工艺制备了Pb（Zr0．9T0．1）O3（PZT）厚膜，研究了过量PbO和Bi2O3－Li2CO3共同助烧对PZT厚膜低温烧结特性、微观结构、相构成以及介电和热释电性能的影响。结果表明：随着过量PbO及Bi203－Li2C03添加量的增加，PZT厚膜的烧结温度和晶粒尺寸均逐渐降低。当PbO过量6．4％（质量分数）、Bi203－Li2C03添加量为5．4％（质量分数）时，PZT厚膜可在900℃低温下致密成瓷，且其热释电系数和探测率优值均得到大幅提高；所得样品在30℃时的热释电系数为10．6