【摘 要】
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研究了位错对液封直拉法(LEC)生长的非掺杂半绝缘(SI)GaAs衬底上MESFET阈值电压(V_(th))的影响及其对注入后退火的依赖性。用低As压退火,位错团周围大约70μm半径内V_(th)向
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研究了位错对液封直拉法(LEC)生长的非掺杂半绝缘(SI)GaAs衬底上MESFET阈值电压(V_(th))的影响及其对注入后退火的依赖性。用低As压退火,位错团周围大约70μm半径内V_(th)向负漂移,而V_(th)不受弧立位错的影响。用AsH_3在As过压下退火,或用等离子体CVD SiN_x做包封层退火,位错团不影响V_(th)。我们的结果表明,在位错团周围形成As_(Ga)反位缺陷的聚集。
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