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在考虑禁带特性的情况下，从理论上探讨了半导体中电子与空穴的分布．以Si为例，利用MATLAB定量分析了不同能量时本征Si半导体中电子占据导带底的几率-温度关系和不同温度时电子占据导带底的几率-能量关系．分析结果表明：导带中绝大多数电子分布在导带底附近，价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近；温度越高，电子占据导带底的几率越大，温度每升高20K，电子占据的几率增加大约4到5倍；导带中能级具有的能量越高，电子占据该能级的几率越低，能量每增加0．02eV，电子占据的几率下降大约1／2．