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采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用．
以注氮SiO2作为铜互连技术中的新型阻挡层
【摘 要】
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采用给PECVD SiO2中注入氮的方法，形成一薄层氮氧化硅，以此作为一种新型的扩散阻挡层．不同热偏压条件下的C-V测试结果和XPS分析结果表明，该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用．
【机 构】
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中国科学院微电子中心,北京科技大学,;
【出 处】
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城市道桥与防洪
【发表日期】
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2004年期
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