【摘 要】
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采用热蒸发法技术沉积Ge34Ga2S64非晶薄膜,并对薄膜样品在375℃热处理2h。通过分光光度计、表面轮廓仪和显微拉曼光谱仪测试热处理前后薄膜样品的透过曲线、薄膜厚度和拉曼结
【基金项目】
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国家自然科学基金（60978058,61008041）, 浙江省自然科学基金（Y1090996）, 宁波市新型光功能材料与器件创新团队基金（2009B21007）, 宁波自然基金（2011A610092）, 瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放课题（SKLST201010）, 宁波大学胡岚博士基金及王宽诚幸福基金,宁波大学优秀学位论文培育基金, 浙江省大学生科技创新活动计划（2001R405055
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采用热蒸发法技术沉积Ge34Ga2S64非晶薄膜,并对薄膜样品在375℃热处理2h。通过分光光度计、表面轮廓仪和显微拉曼光谱仪测试热处理前后薄膜样品的透过曲线、薄膜厚度和拉曼结构。利用薄膜干涉曲线的波峰和波谷计算了薄膜的厚度和折射率,并根据Swanepoel方法以及Tauc公式分别计算了薄膜折射率色散曲线和光学带隙等参数。结果表明,Ge34Ga2S64非晶薄膜经热处理后发生热致漂白效应,大分子团簇以及Ge-Ge、S-S同极错键含量明显减少,网络结构无序性降低,从而引起薄膜的光学吸收边蓝移、折射率降低、表面
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