Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gxmvsgxm

【摘要】

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利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻，以此

【作者】

：

王绍东高学邦吴洪江吴阿惠

【机构】

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河北半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2005年11期

【关键词】

：

微波单片集成电路压控振荡器异质结场效应晶体管砷化镓 MMIC VCO HFET GaAs

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利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻，以此为依据进行输出匹配网络的优化设计．给出了电路制作和测试结果，在17．79-17．89GHz频率上获得了16dBm的输出功率．

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