【摘 要】
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600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能,采用分别的发射极开路输出设计,并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线。意法半导体(STMicroelectronics,ST)新推出的SLLIMM-nano智
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600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能,采用分别的发射极开路输出设计,并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线。意法半导体(STMicroelectronics,ST)新推出的SLLIMM-nano智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)导入新封装类型,并整合更多组件,加快300W以下低功率马达驱动器研发,简化组装过程。3A和5A模块内建最先进的600V超接面MOSFET,最大限度的提升空气压
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