65nm技术开发的FeRAM材料存储能力高达256Mb

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【摘要】

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东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeRAM)的材料和工艺技术.这种改进的铋、铁、氧元素的合

【出处】

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今日电子

【发表日期】

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2006年10期

【关键词】

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技术开发合成材料铁电随机存储器数据存储容量提高联合开发理工大学工艺技术非易失性氧元素微电子富士通设备东京

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东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeRAM)的材料和工艺技术.这种改进的铋、铁、氧元素的合成材料(BiFeO3或BFO)能使FeRAM设备的数据存储容量提高到现在容量的五倍.

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