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开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺，形成了较为优化的施镀流程，实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层．其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法，优化了氯化钯对表面的激活时间，使得镀层质量得到提高．提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法，施镀后获得的铜镀层的电阻率为2．1μΩ·cm，铜／镍复合镀层的方块电阻为0．19Ω／□．在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜，使得该元件的品质因数超过25．