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通过旋涂硝酸铁异丙醇溶液于P型硅表面以获得均匀分布的催化剂颗粒，以CH4为反应气体采用CVD方法即可在P型硅表面均匀生长单壁碳纳米管，并且部分碳纳米管呈直立状。研究了催化剂浓度、生长基底、反应温度对单壁碳纳米管表面生长情况的影响。研究表明，催化剂浓度升高或采用二氧化硅替代P型硅为生长基底时，都会导致单壁碳纳米管生长的密度加大，而碳纳米管长度变短且更易贴附基底表面生长；随反应温度的提高碳纳米管的生长效率降低，并使得碳纳米管更易贴附基底表面生长。采用此方法制备的生长有直立碳纳米管的硅片作为扫描基底，在原子力显