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在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池.由于采用了区熔再结晶(ZMR)的方法,获得了取向一致的多晶硅薄膜,为薄膜电池的制备打下了良好的基础,转换效率达到10.21%.
模拟非硅衬底上转换效率10％的多晶硅薄膜太阳电池
【摘 要】
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在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池.由于采用了区熔再结晶(ZMR)的
【机 构】
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北京市太阳能研究所
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2002年1期
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