【摘 要】
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已经采用CO_2和ArF准分子激光来诱导SiH_4∶N_2O∶Ar合气体的化学气相沉积,在不锈钢基体上分别包覆非晶态的二氧化硅及硅。分析了处理参数对沉积薄膜形成的特性的影响。在一
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已经采用CO_2和ArF准分子激光来诱导SiH_4∶N_2O∶Ar合气体的化学气相沉积,在不锈钢基体上分别包覆非晶态的二氧化硅及硅。分析了处理参数对沉积薄膜形成的特性的影响。在一较窄的范围之内才能形成具有良好质量的a—si薄膜。能在较大的气压及流速值范围之内沉积接近理想配比的大面积的Si0_2薄膜。采用CO_2和准分子激光能够分别以平行结构的方式使SiO_2的沉积速率达到50/min和一次脉冲辐照沉积1的数量级。
CO 2 and ArF excimer lasers have been used to induce chemical vapor deposition of SiH 4: N 2 O: Ar gas, and the amorphous silicon dioxide and silicon are respectively coated on the stainless steel substrate. The effect of processing parameters on the properties of deposited films was analyzed. Within a narrower range, a-si films of good quality can be formed. It can deposit large area Si0_2 film close to the ideal ratio within the range of large pressure and flow rate. Using CO2 and excimer lasers, the deposition rate of SiO 2 can reach 50 / min and the pulsation of one pulse can be deposited on the order of 1 平 by parallel structure respectively.
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