低导通电压的收集极朝上的Ge/GaAs异质结双极晶体管

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wosee_2008
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低导通电压的收集极朝上的Ge/GaAs异质结双极晶体管日本NTT研究所最近报道了一种收集极朝上的Ge/GaAs异质结双极晶体管,这种晶体管能满足高频低功耗工作的要求。通过采用重掺杂B的Ge基区和新开发的自对准工艺,降低了基区电阻和寄生参量,其本征基区... Ge / GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Low-Turn-On Collector-Ups The NTT Research Institute of Japan recently reported a Ge / GaAs heterojunction bipolar transistor with a very positive collector orientation that meets high-frequency Low-power work requirements. Through the use of heavily doped B Ge base region and the newly developed self-aligned process, the base resistance and parasitic parameters are reduced, and its intrinsic base ...
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