本征基相关论文
低导通电压的收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管日本ＮＴＴ研究所最近报道了一种收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管，这种晶体管能满足高频低功耗工......
成功地设计了与TTL相容的用于数字大规模集成的高性能的第二代I~2L/MTL门,在宽的电流范围和从-55～+125℃的军用温度范围内,完全显示......
引言 集成注入逻辑(或称组合晶体管逻辑)──I~2L/MTL是以逆态(倒置)应用的多收集极NPN管作倒相管和以横向PNP管为电流源及负载的......
用于NMOS和CMOS微电路的N沟MOS晶体管在其漏-源击穿特性上有一个负阻区。启动这种工作方式,源-漏电压就会下降,同时产生较大的漏极......
本文给出了横向晶体管设计模型,讨论了集电极断节效应和基区表面场效应,实验表明,设计薄的基区宽度,选用长方形或圆形发射极,配合......
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这......
报道了具有最高单位电流增益截止频率(f_T)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作。器件的f_T值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层......
报道了一种用来制作自对准SiGe基区异质结双极晶体管降低热处理周期的磷发射极工艺。短的热处理周期导致极窄的基区宽度,并维持轻......
<正>在量子力学中,关于体系性质的描述,有许多等价的方式,也即等价的绘景(Picture).较常用的有S chr(o|¨)dinger绘景和Heisen......
本文从理论上分析了实现L波段无线电引信晶体管高频率大动态,高耐压低噪声的可行途径。并设计和制造出了电性能优良的引信晶体管。......
