扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析

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【摘要】

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采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜，氮化反应组装GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究．用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析．观测结果表明：采用

【作者】

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王书运孙振翠曹文田薛成山

【机构】

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山东师范大学物理与电子科学学院

【出处】

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分析测试技术与仪器

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

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Ga2O3薄膜 GaN晶体膜射频磁控溅射扩镓时间氮化时间 Ga_2O_3 GaN r.f. magnetron sputtering Ga-diffus

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采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜，氮化反应组装GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究．用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析．观测结果表明：采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜，随着扩镓时间的增加，薄膜的晶化程度得到明显提高，而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大．

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