以Guglielmi模型研究脉冲电流下Ni-SiC复合电沉积

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在Guglielmi模型的基础上,推导了采用方形、上三角形、下三角形和锲形四类脉冲波形复合电沉积时,电流与镀层中惰性微粒体积分数的数学关系,并以Ni—SiC复合电沉积为例,进行了试验验证。结果表明,在相同峰值电流密度下,方波脉冲电流下SiC的沉积量是其他三类脉冲电流波形的1.51倍;而当平均电流密度相同时,方波脉冲电流下SiC的沉积量是其他三类电流波形的1.06倍。分析了电流密度对镍基体上SiC沉积量的影响。
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