【摘 要】
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据《European Semiconductor》1990年第1期报导,IBM公司首次证明了在极低温度下快速运动的弹道电子通过GaAs时能够聚焦并接受控制.由Dr.Mordehai Heiblum领导的
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据《European Semiconductor》1990年第1期报导,IBM公司首次证明了在极低温度下快速运动的弹道电子通过GaAs时能够聚焦并接受控制.由Dr.Mordehai Heiblum领导的
According to “European Semiconductor” No. 1 of 1990, IBM reported for the first time that ballistic electrons that move rapidly at very low temperatures can focus and gain control over GaAs, led by Dr. Mordehai Heiblum
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