【摘 要】
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研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210 K～410 K范围内对SiGe HBT特性的影响.借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;模拟集成电路重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060;模拟集成电路重点实验室,重庆,400060
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研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210 K～410 K范围内对SiGe HBT特性的影响.借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的电流增益β,厄尔利电压VA,截止频率fT随着温度升高而降低;靠近基区发射结的Ge组分越高,β越大;基区Ge组分梯度升高,VA增大,fT增大.提出了一种优化的Ge分布,与传统Ge分布相比,该分布器件的电流增益β对温度的敏感性分别降低72.1％,56.4％和58.7％,扩大了器件的应用领域.
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