【摘 要】
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本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~+注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~+注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差分方法计算了退火样品的体内温度的径向分布T(r,t)及离子注入非晶层外延再结晶厚度的径向分布ξ(r,t)的离散值,得到选择退火条件的一些依据.
In this paper, the solid state epitaxial growth model of the amorphous layer formed by high-dose P ~ + implantation in CWOO laser was demonstrated by the static experiment of the stripping ellipsometry.The average rate of solid-phase epitaxial growth obtained by CWCO_2 laser annealing reached 4.2 × 10 ~ 3 (?) / Sec. In this paper, the radial distribution T (r, t) of in-vivo temperature and the radial distribution ξ of the thickness of recrystallized epitaxial layer , t) discrete values, to obtain some of the conditions for the selection of annealing.
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