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研究了快速热退火对应变ＩｎＡｓ／ＩｎＰ单晶子阱结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度地加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５ｍｅＶ。
快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量
【摘 要】
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研究了快速热退火对应变ＩｎＡｓ／ＩｎＰ单晶子阱结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度地加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５ｍｅＶ。
【机 构】
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北京大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1996年4期
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