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使用电荷传输的半经典模型Marcus和密度泛函理论（DFT）方法，在B3LYP/631G＊＊水平上对三环喹唑啉及其衍生物分子的电荷传输性质进行理论研究.结果显示，硫甲基取代分子的空穴传输和电子传输速率常数相当，速率常数为1.77×1012 s-1，预示可设计成空穴传输和电子传输材料.羟基取代、烷氧基取代、巯基取代分子的空穴传输载流子迁移率μ＋与速率常数k＋，比苯并菲（TOH）和六氮杂苯并菲（HATOH）液晶分子约大1个数量级，比其电子传输大近2个数量级，显示选择三环喹唑啉为刚性中心核合成盘状液晶