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纯GaN衬底上同质外延的实现

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jankhxin

【作 者】

：

重禾 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

1998年9期

【关键词】

：

GAN 衬底 同质外延 Ⅲ-Ⅴ族 半导体化合物 

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