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提出了采用紧束缚方法计算电子联合状态密度,并利用由实验测得的半导体化合物MZ,NZ及NW的介电常数,计算半导体合金M_xN_(1-x)W_yZ_(1-y)的介电常数虚部的半经验方法,进而利用此方法具体地计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_vAs_(1-y)的介电常数虚部。