论文部分内容阅读
用化学气相沉积的方法合成了ZnO纳米线,采用微栅模板法制得电极从而获得欧姆接触的单根ZnO纳米线半导体器件.通过研究60～300 K范围内的电阻变化情况,发现在整个温度区间内存在热激活和近程跳跃两种传输机制.在300,200,100K的条件下分别测试了器件的紫外光响应和恢复情况,结果表明:低温下器件对紫外光的敏感性提高,电流的恢复时间随着温度的降低而延长.