低束流Nd^3＋注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenbenxia

【摘要】

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采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕

【作者】

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曾宇昕王水凤程国安肖志松徐飞元美玲

【机构】

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南昌大学材料科学工程系,南昌大学物理系,北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束技术与材料改性重点实验室,复旦大学应用表面物理国家重点实验室

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

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硅基薄膜离子注入 ND^3+ 结构光致发光钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源 ion implantation Nd~(3+) structu

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd3+硅基薄膜材料.用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物.测试了样品的光致荧光谱,在254nm(～5.0eV)光激发下获得了紫蓝光区(410～430nm)和红光区(746nm)荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大.746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁(4F7/2,4S3/2→4I9/2),讨论了注入层结构与荧光发射的相关性.

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