ZNSE相关论文
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原......
在2.8μm附近工作的中红外(mid-IR)激光器由于与水分子的OH-振动模式共振而在生物材料中显示出强吸收性。2.8μm中红外激光器的这......
设计并制备了一款780 nm半导体激光器,并进行了外腔反馈锁模研究。利用金属有机化学气相沉积技术制备了激光器外延层,采用GaAsP/Ga......
以谷胱甘肽(GSH)为稳定剂,在水相中合成了高荧光的硒化锌量子点(ZnSe QDs).实验发现,农药敌磺钠能显著猝灭ZnSe QDs的荧光,同时采......
给出高功率横流ＣＯ２激光器高反膜红外耦合窗口ＺｎＳｅ的热形变理论和实验。在合理近似条件下，导出了ＺｎＳｅ窗口温度分布和热形变的理论表达式。理论和......
以矢量严格耦合波(RCWA)理论为基础,通过遗传算法优化设计了圆柱形ZnSe亚波长微增透结构,获得了具有较好增透效果的结构参数;重点......
<正>中红外调Q脉冲光纤激光器在光电对抗、激光微创手术、工业加工和非线性波长变换等领域有着重要的应用前景,已引起了国内外研究......
搭建了由国产1908nm掺铥光纤激光器抽运的中红外可调谐窄线宽Cr…ZnSe激光器。该激光器为X型腔结构,在抽运功率6.8 W时连续光最大......
自20世纪60年代第一台红宝石(Cr3+:Al2O3)晶体激光器问世之后,激光科学技术开始迅猛发展,工作在1～3μm波段的近中红外激光材料由于......
过渡金属离子掺杂Ⅱ-Ⅵ族半导体是稀磁半导体的一个重要分支。而纳米光子学研究手段是一种研究其内部磁性离子与磁性离子、磁性离......
通过TOP-TOPO-HAD路线制备了CdSe纳米晶体,并在此基础上通过一步法制备出CdSe@ZnSe核壳纳米粒子.利用环已烷-壬基酚聚(5)氧乙烯醚(......
报道了在ZnS/ZnSe非线性迭层式波导光栅中实现的光控反射特性和光学限制效应,在控制光强为2.60×105W/cm2的Ar+激光作用下,得到对......
<正> 层状ZnS、ZnSe红外窗口正被用于美国空军的LANTIRN(夜间低空导航与目标指示用红外系统)计划中。该窗口是由加州Recon/Optical......
This work studies extinction properties of ZnSe quantum dots terminated with either Se-surface or Zn-surface (Se-ZnSe or......
文章对用化学气相沉积法制备多晶ZnSe的热动力学原理、设备、工艺进行了系统的分析研究.沉积动力学方面结合Spear的六步沉积理论对......
半导体纳米晶具有明显不同于体相半导体材料的性质，且可以通过适当的条件控制其大小、表面状态以及组成，从而控制其发光等性能。CdSe......
在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以......
化学气相沉积ZnSe与ZnS晶体结构及物理性能近似,但原生ZnS在6.2μm处存在由Zn-H络合物引起的明显的吸收峰,其中的H来源于未分解的......
硒化锌(ZnSe)是一种具有应用前景的半导体光电材料,近年来得到了学者的广泛关注.制备出质量较高的ZnSe早已经成为光电技术研究领域......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等......
对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体......
纳米薄膜是指纳米晶粒构成的薄膜,或将纳米晶粒镶嵌于某种薄膜中构成的复合膜,以及每层厚度在纳米量级的单层或多层膜。其性能强烈......
通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ｇａ δ掺杂ＺｎＳｅ 超晶格的稳恒光电导效应．被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其......
本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,......
利用一个简化的二能级模型的速率方程来计算双光子吸收系数,讨论了ZnSe的双光子吸收特征,并用此模型计算了ZnSe在600 nm和900 nm的......
针对现有的静态斜楔干涉具无法实现零光程差，进而影响光谱反演的准确性和复杂性。文中提出一种可以实现零光程差的斜楔干涉具，通过对......
利用溶胶-凝胶工艺和原位析晶技术,制备出外观透明的ZnSe纳米晶掺杂的SiO2玻璃.利用X-射线衍射研究了SiO2基质中纳米晶的相结构,根......
采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚......
Assembling Synthesis of ZnSe Orthohexagonal Slices through Emulsion Liquid Membrane System of Gas-li
Orthohexagonal slices assembled by ZnSe quantum dots were synthesized through emulsion liquid membrane system. These ort......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了ZnSe的三种结构岩盐结构（RS）、闪锌矿结构（ZB）及六方纤锌矿结构（WZ）的结构性质.通过等焓原......
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发展了一种新的ZnSe晶体气相生长输运剂Zn(NH4)3Cl5;用非等温TG-DTG技术,在5.0、10.0、15.0和20.0 ℃/min 4个不同线性升温条件下,......
以Zn（Ac）2.2H2O为Zn源,Na2SeO3为Se源,NaOH溶液为反应介质,EG为还原助剂,采用水热法,在160℃下反应10 h,合成了直径为2μm、大小均匀......
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考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的Ⅲ～Ⅴ族GaAs和Ⅱ～Ⅵ族ZnSe极......
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采取自然环境试验和实验室霉菌试验相结合的方法，研究霉菌对Ge、ZnS和ZnSe镀增透膜和碳膜的影响。通过显微镜和扫描电镜对霉菌试验......
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ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙Ⅱ-VI族半导体材料。一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的......
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采用热扩散掺杂技术制备了 Fe2＋∶ZnSe 晶体，测试晶体样品中铁离子浓度达1.27×1018 cm -3。分析了 Fe2＋∶ZnSe 晶体光谱的光学吸......
在水相中，以巯基乙酸（TGA）为稳定剂制备了具有短波长荧光的ZnSe量子点．研究了ZnSe量子点光诱导荧光增敏的机理，并提出通过补加Zn^2＋和TGA......
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硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料，其禁带宽度为2．7eV，是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种，如纳米带、......
介绍了一种采用高能球磨方法制备ZnSe纳米晶粉体的新方法。通过实验获得了最佳球磨工艺参数。ZnSe粉体的XRO分析表明，在氮气保护下，......
