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本文研究用等离子体增强化学气相沉积方法沉积ＳｉＯ２和非晶硅时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系。选择合适的沉积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料。，用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ－Ｓｉ和ＳｉＯ２层厚度分别为４ｎｍ和６ｎｍ时，形成了颗粒大小为３．８ｎｍ的硅晶粒。
a—Si／SiO2多量子阱材料制备及其晶化和发光
【摘 要】
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本文研究用等离子体增强化学气相沉积方法沉积ＳｉＯ２和非晶硅时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系。选择合适的沉积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料。，用激光扫描退火方法使其晶化，当
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,南京大学固体微结构物理实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1997年3期
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