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利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成由表面到界面为Pt,Pt2Si,PtSi,衬底温度的升高与沉积薄Pt膜有利于单-PtSi的形成,并揭示其价电子谱中谱峰出现的原因.
利用X射线光电子谱对PtSi/p-si(111)的电子结构研究
【摘 要】
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利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/P-Si异质薄膜,采用X射线光电子谱(XPS)测试其芯能级和价电子能谱.结果表明,其相形成由表面到界面为Pt,Pt2Si,PtSi,衬底温度的升
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院,
【出 处】
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哈尔滨理工大学学报
【发表日期】
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2004年期
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