TDI公司的GaN外延片生产取得突破

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Technologies and Devices International(TDI)公司声称取得一项技术突破,制造出工业界第一块6英寸GaN外延材料。上述蓝宝石上GaN外延片的制造采用了该公司的专利氢化物汽相外延(HXPE)工艺及设备。GaN是一种高性能的化合物半导体材料,用于制造蓝光谱(蓝、绿、紫外及白光)LED、L Technologies and Devices International (TDI) claims it has made a technological breakthrough to create the industry’s first 6-inch GaN epitaxial material. The sapphire GaN epitaxial wafer is fabricated using the company’s patented hydride vapor phase epitaxy (HXPE) process and equipment. GaN is a high-performance compound semiconductor material used in the manufacture of blue (blue, green, ultraviolet and white) LEDs, L
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