【摘 要】
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采用第一性原理方法模拟了覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附能和电子结构的影响.结果表明:在覆盖度0.50 ML以下,S原子吸附在Hollow空位最稳定,且吸附能几乎不随覆盖度变化；在覆
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采用第一性原理方法模拟了覆盖度对S原子在Ir(001)表面吸附能和电子结构的影响.结果表明:在覆盖度0.50 ML以下,S原子吸附在Hollow空位最稳定,且吸附能几乎不随覆盖度变化；在覆盖度0.66ML以上吸附能随覆盖度增加而减小.吸附体系金属表面d带电子结构随覆盖度变化与O/Pt(111)吸附体系相似.这些结果与Hammer-Norskov模型吻合.
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