【摘 要】
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文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
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文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型的电流崩塌效应,介绍了其成因和抑制的方法,并对各种方法进行了比较;阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响,解释了提高器件击穿电压的原理,并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明,从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途.
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