合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

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【摘要】

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本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因

【作者】

：

刘振刚于美燕白玉俊郝霄鹏王琪珑于乃森崔得良

【机构】

：

山东大学化学与化工学院,山东大学晶体材料国家重点实验室

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

合成 GAP 磷化镓纳米晶纳米棒 X射线衍射 GaPnanocrystalsnanobarXRDkey factors

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本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

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