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晶格失配对InAsχP1-χ/InP发光特性的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fqdml

【摘 要】

：

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层.利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300 K温度范围内的发

【作 者】

：

阎大伟 宋航 缪国庆 于淑珍 蒋红 李志明 刘霞 曹连振 郭 

【机 构】

：

中国科学院激发态物理重点实验室

【出 处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

InAsxP1-x/InP 低压金属有机化学气相沉积 应力 变温光致发光 

【基金项目】

：

国家自然科学基金重点项目

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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层.利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律.

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