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晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题.文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化.文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试,估算了晶体管的正向渡越时间的范围,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容.