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利用pHEMT工艺设计了一个2-4GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配．通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计。最终使得该LNA在2-4GHz波段内增益大于20dB，噪声小于1-2dB，输出电压驻波比小于2，达到了设计指标的要求。