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采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr^4+,Ga^3+的单掺和双掺系列KTP型晶体。晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难。用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga是晶体中的含量都十分稳定。测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-