生长层相关论文
原子层外延生长(ALE)最初被设想为生长半导体化合物的一种方法,生长层具有大面积的非凡均匀性,层面厚度能被精确控制。当应用于金......
妇女尿道脱落细胞近来成了细胞激素研究的目标。和阴道涂片与尿液细胞(尿细胞图)比较,尿道脱落细胞存在着细胞形态与细胞激素特征......
采用传统降温法生长了掺杂不同浓度的SO42-离子KDP晶体,研究分析了晶体的宏观缺陷及开裂形式,从晶体生长角度初步分析了硫酸盐掺杂......
扼要地介绍了我国沙漠化的严重形势和全面治理沙漠的紧迫性。在阐述各种沙漠保水方法的同时,讨论了防渗保水法的具体实施方式,并对......
本恒温控制装置采用价格低廉的运算放大器和三位半数字电压表专用集成电路，具有较高的控温精度，经４年的使用对半导体区熔炉的控温效果......
报道一种隐埋条形半导体激光器伴生高阻层电阻率的估算方法，解决了该电阻率不能用常规手段直接测量的问题；在给定的实验条件下，算得电......
本世纪初期,美国有一位天文学家常手执锯斧等工具,穿行在美国西南部干旱区,尤其是土著印第安人集居地的山林之中,风餐露宿;同时还......
研究了在 ＧａＡｓ （１１１）衬底上生长的六角相 ＧａＮ的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用ＭＯＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法生长的ＧａＮ的极性和ＧａＡｓ衬底的极性一致；在（１１１）Ａ－Ｇａ表面上的生长层......
采用等离子体激活的化学气相淀积装置系统,以钇的β-二酮类螯合物(Y(DPM)_3)为源物质,于低温低压等离子体条件下,在单晶硅、兰宝石......
在今天,要想认识、了解金刚石晶体的生长过程,求得原子与分子级的微观情报,就必须对晶面上发育的生长层详加调查。这是因为晶体生......
研究我国北部季风气候区石笋的微生长层及其气候意义，在北京石花洞石笋中发现微生长层。通过年代测定、气候事件控制分析，初步提出了......
并五苯薄膜和单晶晶体管研究是目前有机电子学研究领域的热点.本文通过实验和理论模型系统研究了并五苯有机小分子薄膜的初始生长......
病理性瘢痕分为瘢痕疙瘩和增生性瘢痕,目前国内外尚无有效地治疗方法,近2年来笔者根据超低温能使皮肤角质层与生长层松懈,胶原纤维......
德育，说到底是一个师生交心换心的过程，是师者将存于寸心的觉悟智慧、君子道德传递给学生，使之生根生长层层相因代代延展的过程，是促进......
采用RBS分析方法,研究了宽温区(LNT—400℃)下Xe~(2+)离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化......
阐述了 微波等离 子化学 气相沉 积 方法 合成 金 刚石 薄 膜的 生长 规 律，并 对 薄膜 品质 作 了分析，指 出加强基 板预处理 、提......
提拉法生长掺有溶质的ＬｉＮｂＯ３晶体时，有意识地引入周期性生长层，制备了折射率沿生长方向周期变化的ＬｉＮｂＯ３晶体。测量和研究了晶体的双折射率和布喇......
建立了晶体生长非稳态过程的界面质量守恒方程,为严格处理晶体生长中生长层的形成等非平衡非线性问题提供了基本的数学模型;还建立......
首次报导了五磷酸镨晶体中缺陷的Ｘ形貌研究结果．这些缺陷是铁弹畴、反相畴界、生长层和生长区界面，探讨了它们的成因及其克服办法
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采用厚溶液、低温液相外延(LPE)的生长办法研制出了高亮度GaP绿色发光二极管(LED)。为了获得高质量的P-n结,选定了最佳化的LPE生......
在同一温度安瓿瓶中的不同过量组份条件下用“蒸发-冷凝-扩散”法于衬底上生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层。研究了生长层的光和电物理性......
采用双管汽相外延工艺可实现异质结的多层薄膜连续生长。我们用这种系统已经生长出了多层薄膜(例如可交替生长50层厚度200(?)的In......
日本索尼中央研究所用有机化合物热分解反应的气相生长法,制成了在可见光区可获得室温连续振荡的半导体激光器.室温连续振荡的最......
用等温生长法在CdTe衬底上生长的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层具有镜面状表面形态、径向组分均匀度高和突出的电子特性(即x接近0.15的电子......
用 AsCl_3—Ga—H_2开管流动系统外延生长 GaAs 晶体获得了以下各种电性能:(i)当 AsCl_3温度从20℃变到0℃时,在掺 Cr 半绝缘衬底......
在液相外延生长的n型层上用扩散法形成p—n结制成了一种新型的发绿光的负阻磷化镓二极管。外廷生长层包含一狭窄的由深受主突然加......
本文评论用开管式水平滑移装置从富碲溶液中液相外延(LPE)生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜。讨论与富碲溶液LPE生长有关的现象和相关曲线,......
测量了TGS、ATGS、LiTaO-3材料的电滞回线、介电常数、正切损耗和热电系数,以及采些电学参数随温度的变化,并对测量结果作了初步分......
本文报导用扫描Nd-YAG连续激光对硅中注铋的损伤层进行的退火研究。测量表明:退火能使离子注入造成的晶格损伤很好恢复,90％以上的铋......
采用有机金属化合物热分解方法进行GaAs_(1-x)Px气相生长的实验,比过去歧化反应法(不均等化反应法)在重复性和批量生产上都更有前......
1.引言由于 GaAs 的迁移率比 Si 和 Ge 大,而且禁带宽度也大,所以它可以制作高频,耐高温,大功率的器件。在汽相外延中,由于可在低......
一、引言 近些年来,人们对化合物半导体材料的研究主要集中在Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族化合物等晶体上。在材料制备、性质及应用等方面都取......
分子束外延的特点及在场效应晶体管中的应用分子束外延(MBE)自问世以来,已经过了六年,现在已由萌芽初期发展到成熟阶段。分子束外......
一、引言随着光纤通讯和集成光学的飞速发展,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延技术也得到了很大的进展,并成功地研制出了寿命六百万......
一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它......
一般Hg_(1-x)Cd_xTe晶体都用液相生长法制得。但除资料[1]之特殊方法外,单从液相生长时,由于其液-固线差别显著,难得长成均匀的单......
本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77......
通过晶体生长过程对砷化镓的缺陷性质进行了研究,特别着重研究了有关电学性质,发光性质的变化,以及由于偏离化学计量比的晶格常数......
一、前言在现代科学技术中,很多领域都需要应用薄膜材料,尤其是在半导体方面,显得更为突出。随着半导体器件的飞速发展,对制备单......
将 Au-Ge 接触合金到 n 型砷化镓上已被广泛地用作欧姆接触。对于接触特性来说,合金周期内的升温速率是重要的因素.本文报导了升......
