【摘 要】
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本文分析了短沟N-MOS管衬底雪崩热空穴所产生的三个作用:改变反型层电导,降低源—衬底结和漏—衬底结势垒高度以及导致衬底横向n-p-n管的寄生效应,并由环增益为1的条件导出其
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本文分析了短沟N-MOS管衬底雪崩热空穴所产生的三个作用:改变反型层电导,降低源—衬底结和漏—衬底结势垒高度以及导致衬底横向n-p-n管的寄生效应,并由环增益为1的条件导出其击穿公式。讨论了纵向电场对热电子的作用所导致载流子迁移率下降的现象。最后给出了考虑这两种热戴流子作用的几种N-MOS管模型的模拟比较。
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