反型层相关论文
在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和......
建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作......
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下......
本文综述了微电子技术向纳米空间（＝１０－９米）的进展所必将引起的一系列新的变化及其在半导体领域中蕴酿的一场技术革命，同时还论述了这一场技......
研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对......
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
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分析了超导－半导场效应晶体管的工作原理，利用电阻分流模型对其性能进行了讨论，并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符......
运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料ＩｎＳｂ和ＨｇＣｄＴｅ价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特......
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。
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本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和......
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应......
常规的体硅基础电路通常只能工作在２００℃以下，ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎ－ｓｕｌａｔｏｒ）电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求，并分析了ＳＯＩ电路在高......
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 .在该模型的基础上 ,研究了采用不同高介电......
提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOI LDMOS连续解析表面势模型.采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程......
本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究......
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利......
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研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型......
利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de ......
本文分析了碲镉汞 (HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰 ,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系。MCT中的Te......
以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,......
近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改......
基于k·p微扰理论框架,研究建立了单轴张/压应变Si,Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电......
中国电子科技集团公司第十三研究所基于自主开发的工艺,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面沟道结构,在栅极电......
随着生物技术和纳米科技的快速发展,基于侧向光伏效应制备成的位敏传感器件在生物医学和生物检测等方面有越来越重要的应用。新型......
集成电路行业发展至今,在以Si基器件为主流的基础上,遵循与推进着摩尔定律的演进步伐,取得了巨大成就。然而随着集成电路工作频率......
多孔硅是一种微纳尺度硅基气敏传感材料,其当前存在不足主要在于探测气体时灵敏度偏低以及对不同气体分辨能力不强两方面。在金属......
顾秉林rn材料物理专家.清华大学现代应用物理系教授.1945年出生于哈尔滨,原籍吉林德惠.1970年毕业于清华大学物理系,1982年获丹麦A......
本文研究了N-I-P型探测器的表面现象与反向电流的关系。若只考虑表面复合速度,忽略反型层的影响,而在电场作用下表面复合速度对光......
本文介绍一个8192单元、P 沟道、有全部功能的随机取数存储器(RAM)的设计,生产与测试。这里将讨论这种器件的一些新的性能。这些性......
采用溶液生成法制备了有机铅卤化钙钛矿(CH_3NH_3PbI_3)晶体粉末,并以过量的PbI_2对其进行掺杂,采用X射线衍射谱(XRD)技术研究了掺......
硅外延层上自然氧化层中的界面态使汞-硅接触肖特基二极管反向偏置C—V特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误......
本文仔细地分析了铝栅和条状硅栅CM。S结构的节点电容与几何结构、物理、材料和工艺参数关系;推出了较为精确的节点电容表达式;提......
高阻P型硅在热氧化过程中,往往在表面会出现n型。同样,高阻n型硅热氧化后也可具有P型表面。这种表面反型现象一般称作沟道效应。硅......
采取破坏信息读出的动态MOS单晶体管存贮器单元,其读出信号随着单元面积的减小而降低。为了获得所要求的小面积的单元,就必须用具......
固体摄象器件是指电荷耦合器件（Charge-Coupled Devices）（简称ccD）,这种器件是1970年由贝尔实验室的玻意（Boyle）和史密斯（Smith）提出来的一......
题示一、“民兵Ⅱ”元件可靠性计划概况1.发展过程2.可靠性计划3.讨论二、不可靠的原因及其分析方法1.“民兵Ⅱ”集成电路的失效......
本文导出了非简并状态反型层中电位与载流子浓度热平衡分布的解析表达式,其结果与计算机求得的精密数值解符合很好.由本文结果还可......
在红外CCD的研制过程中,InSb是居重要地位的器件之一。国外正大力发展,InSb红外CCD,准备将它用于地球资源和卫星的遥感、热成象等......
