采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜

来源 :首届全国先进焦平面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：flysnake

【摘要】

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文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀

【作者】

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徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心,上海,200083

【出处】

：

首届全国先进焦平面技术研讨会

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

CdZnTe衬底 HgCdTe薄膜材料液相外延

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文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约为2×105cm-2,该材料的表面形貌与采用(111)晶向衬底的HgCdTe外延材料有较大区别.

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