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用CHF_3反应离子腐蚀除去SiO_2层之后对Si表面的电特性进行了全面的研究。本研究采用了金属-半导体接触结构,并包括金属-半导体接触加热到它的低共熔温度之后的结果。结论是,用CHF_3腐蚀之后Si表面有被俘获的正电荷,部分正电荷可以通过把金属-半导体接触加热到它的低共熔温度后去除。
用CHF3进行SiO2反应离子腐蚀后Si表面的电特性
【摘 要】
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用CHF_3反应离子腐蚀除去SiO_2层之后对Si表面的电特性进行了全面的研究。本研究采用了金属-半导体接触结构,并包括金属-半导体接触加热到它的低共熔温度之后的结果。结论是,
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1992年2期
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