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为进行剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估,基于定量损伤物理模型和剂量率切换加速方法实验测试条件,以氢浓度、初始缺陷浓度和温度为变量,对金属绝缘层半导体（Metal insulator semiconductor,MIS）结构进行了系统的数值模拟。结果表明,剂量率切换辐照加速方法的适用性对双极器件氧化层内的氢浓度及缺陷浓度有很强的依赖。因此,剂量率切换加速方法的实验可能对部分器件和电路不再适用。