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通过在玻璃和蓝宝石衬底上蒸镀厚度为1100?的ITO,采用不同的退火条件,研究了ITO对LED蓝光芯片光电性能的影响,实验表明:较高的退火温度有利于ITO薄膜穿透率提高和片电阻降低,同时LED蓝光芯片正向驱动电压会降低,最佳退火温度应为550℃。
ITO不同退火条件对LED蓝光芯片光电性能的影响
【摘 要】
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通过在玻璃和蓝宝石衬底上蒸镀厚度为1100?的ITO,采用不同的退火条件,研究了ITO对LED蓝光芯片光电性能的影响,实验表明:较高的退火温度有利于ITO薄膜穿透率提高和片电阻降低,
【机 构】
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湘能华磊光电股份有限公司;
【出 处】
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科技经济导刊
【发表日期】
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2018年19期
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