用于64M DRAM的半导体曝光设备

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chinetman
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据《O Plus E》1992年第147期报道,光已用于超微细加工中,日本佳能公司为了大幅度提高半导体的制作精度而研制成新的曝光设备,在把电路图形制在硅片的光源上安置光滤波器,去除不适宜超微细加工的光。现在的曝光方法还不能适应1995年批量生产64M DRAM的制作。该公司的这种新技术可批量生产64M DRAM及以后的超大规模集成半导体。 According to “O Plus E” No. 147 1992 report, the light has been used in ultrafine processing, the Japanese Canon company in order to greatly improve the accuracy of the semiconductor and developed into a new exposure equipment, the circuit graphics in the silicon light source On the installation of optical filters, removal of ultra-fine processing is not suitable for light. The exposure method is not suitable for mass production of 64M DRAM in 1995. The company’s new technology can mass-produce 64M DRAM and later ultra-large-scale integrated semiconductors.
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