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采用高真空电子束蒸发的方法将镍(Ni)淀积在4H-SiC(0001)面上，制备出良好的Ni／4H-SiC肖特基接触．研究了Ni／4H-SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I-V特性，并以热电子发射理论为基础，结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni／4H-SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算，发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系，和温度成反比关系，与实验结果基本符合。