研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治结构中巨磁阻效应及其温度特性。结果表明：通过优化Ｃｒ过渡层厚度，可获得室温下饱和磁场小于３００Ｏｅ，巨......

随着集成电路技术的发展，晶体管的特征尺寸已经减小到45nm 以下，栅氧化层的物理厚度小于2nm，导致栅极漏电流增大，采用高k材料取代二氧......

采用高真空电子束蒸发的方法将镍(Ni)淀积在4H-SiC(0001)面上，制备出良好的Ni／4H-SiC肖特基接触．研究了Ni／4H-SiC肖特基势垒在强磁场和......