半导体科学基础研究面临新的发展机遇—国家自然科学基金半导体学科2002年申请概况分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pearlpink
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
信息科学不断发展,对半导体科学研究提出了更高要求,微电子学的实验室水平已经进入纳米电子学范畴,光电子学、光电子和光子集成也不断发展,而纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究蓬勃开展,相关的新材料、新器件探索层出不穷。这些研究的不断深入、彼此之间的交叉融合,将会不断推动半导体科学的发展,文中简述了2002年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向,并附2002年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考。
其他文献
采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AIN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接键合的需要,同时,采用智能剥离技术成功实现了
我院于4月20日建立起发热隔离病区,于2003年4月至6月共收治发热留观病人45例,其中来自广东疫区4例,北京疫区2例,现将我院留观发热病人护理体会总结如下。1 病情观察发热病人尤其
目的:研究乙型肝炎患者红细胞补体Ⅰ型(CR1)和趋化因子受体(CKR)的变化。方法:采用抗CR1单抗的免疫酶联法(ELISA)和IL-8吸收的免疫酶联(ELISA)法分别对30例乙型肝炎患者和34例
通过对大功率激光器阵列热现象的分析,采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型,给出了具体的温度分布曲线,由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向
采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm,研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明
基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算扩散-外延穿通P-N给击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果。介绍了等价掺杂转换方法的基本理论,然后运用该理论得到了用于低压功率
目的:探讨前臂骨折手术后畸形与骨折不连的原因,选择再手术的时机与方法。方法:①严重畸形,截骨矫正,植骨。②缺损在3cm以内采用髂骨植骨钢板螺丝钉内固定,3cm以上的缺损者采用吻合
用6×6Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构,分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征值的影响。在实际计算中,平面波的周期必须选
直接键合片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为,硅片硅合能随退火温度分两步增加,这种现象归因于界面反应存在两种不同的